Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

За последние несколько лет AMD выпустила два поколения высокопроизводительных процессоров Ryzen, основанных на совершенно новой архитектуре с огромным потенциалом. Недавно компания представила уже третье поколение. Но, тем не менее, Интернет полон страхов и недопониманий потенциала платформы «не от Intel». Некоторые пользователи до сих пор боятся приобретать систему AMD AM4 из-за ряда причин, проявившихся во время старта продаж первого поколения.

Мое имя Юрий Бублий (@1usmus), я являюсь разработчиком DRAM Calculator for Ryzen, автором многочисленных BIOS-модификаций и куратором десятка тем, посвященных этим процессорам и всему, что их окружает. После двух лет исследований и разработок я готов поделиться своими секретами по оптимизации памяти в системах Ryzen. Под оптимизацией я имею в виду разгон и настройку системной оперативной памяти. Да-да, то самое коварное слово «разгон».

«О Боже, там так много параметров и это может еще повлиять на гарантию!» — подумали вы. Нет, все гораздо проще. Сегодня я расскажу, на что стоит обратить внимание при покупке, как быстро и правильно настроить систему, минуя страхи и типичные ошибки, которые можно получить в процессе разгона.

Некоторые из вас могут спросить, какие реальные преимущества можно получить от разгона памяти и что в целом оно даст? Начну с того, что существует возможность увеличить средний fps в играх до 50% только благодаря оптимизации подсистемы памяти. Этот показатель не является просто числом, это сумма факторов, которые влияют на качество вашего геймплея. Сюда входят значения 1% low и 0,1% low, минимальный fps, средний и максимальный. То есть, если у вас есть желание получить максимум отдачи от системы, вам все-таки придется осилить эту статью.

Звучит заманчиво, не так ли?

Infinity Fabric

Для связи между отдельными блоками в процессорах AMD Ryzen используется внутреннее соединение Infinity Fabric, пришедшее на смену шине HyperTransport.

Под блоками подразумевается вычислительные комплексы ЦП (группы до 4 ядер ЦП именуемые CCX). Infinity Fabric имеет свой собственный тактовый домен, который синхронизируется с физической частотой памяти. Поколения Zen 1 и Zen+ работают в режиме UCLK=MEMCLK. Поколение Zen 2 получит дополнительный режим UCLK=1/2 MEMCLK, который существенно увеличит частотный потенциал DRAM во время разгона.

Конструктивно Infinity Fabric представляет собой 256-битную двунаправленную шину. С ее помощью в шестиядерных и восьмиядерных моделях процессоров Ryzen (архитектуры Zen 1 и Zen+) два четырехъядерных модуля (CCX) обмениваются данными с другими блоками, включая контроллер PCI Express и южный мост. В Zen 2 обмен данными происходит не только между CCX, а и между чиплетами CCD и мастер-чиплетом I/O посредством новой двунаправленной шины.

Infinity Fabric Zen/Zen+ функционирует на частоте, равной физической частоте системной ОЗУ. Например, если контроллер памяти работает c DDR4-2133 в режиме UCLK=MEMCLK, матрица коммутатора синхронизируется с частотой 1066 МГц (напомню, эффективная частота указана в обозначении памяти). Это означает, что более быстрая память позволяет увеличить пропускную способность внутреннего соединения Infinity Fabric.

Эта технология открывает большие перспективы при создании многоядерных процессоров, таких как Ryzen 3000, о которых мы вскоре с вами поговорим.

Типы памяти

За последние 10 лет компания Intel посеяла в головах пользователей главный тезис — оперативная память это декоративная заглушка, иногда она имеет подсветку и прикольно выглядит в корпусе, люди перестали задумываться о реальной значимости ОЗУ.

На данный момент на рынке оперативной памяти представлено огромное кол-во вариантов, которые могут нас заинтересовать, но могут оказаться совершенно бесполезными. Какую же выбрать?

Лидером в разгоне является оперативная память на чипах Samsung B-die (20 нм). Эти чипы демонстрируют рекордные показатели частоты/латентности «из коробки». Хочу отметить важный момент, что вам не обязательно покупать набор, на котором будет нарисовано красивые числа вроде 4200+ МГц, в большинстве случаев разгон такого комплекта будет сопоставим с набором DDR4-3000 с CL14. Безусловно, кремниевая лотерея присутствует и может оказаться, что «3000CL14» больше 3600 МГц не захотят брать стабильно. В качестве примера я покажу вам, что могут модули, которые попали в этот материал.

Первыми в списке идут G.Skill Sniper X 3400C16 (F4-3400C16-16GSXW). Это одноранговая (или single rank) память, базовые характеристики нельзя назвать феноменальными, в отличие от результата, который получен после разгона.

Так же на этих модулях удалось получить заветные 3733 МГц при CL14, но с довольно большим напряжением — 1,51 вольт. Я считаю, что данное напряжение не подходит для использования в режиме 24/7, так как есть шанс получить преждевременную «смерть» плашек.

Далее в списке приоритетных покупок идет память, основанная на чипах SK hynix CJR (18 нм). В моем распоряжении были G.Skill Sniper X 3600C19 (F4-3600C19-16GSXWB), данная память почти на 50% дешевле вышеупомянутых Samsung B-die.

Касаемо разгона — 3933 МГц при CL16, абсолютный рекорд по частоте и пропускной способности для 4-слотовой материнской платы (о ней мы поговорим позже).

И это для нее не предел, 4000 МГц при CL16 реальность.

В свежей версии калькулятора я подготовил пресеты включительно до 3867 МГц.

Так же в этом году рынок получил и новые Micron H/E-die (19 нм). К сожалению, на момент написания материала этих наборов у меня в руках еще не было. По предварительным тестам моих коллег, память аналогично хороша в разгоне и может составить конкуренцию для Hynix CJR.

А что же двухранговая память, она же dual rank? На данный момент результаты разгона данного типа оперативной памяти довольно печальные, контроллеру памяти тяжело справлять с четырьмя рангами. Даже не контроллеру, а «разводке» шин. Максимум, что пока доступно — 3466 МГц при CL14 для Samsung B-die и 3600 МГц при CL16 для Hynix CJR. Единственный плюс от четырех рангов — это внушительный объем оперативной памяти и технология чередования рангами, которая увеличит производительность системы в играх. Что как и на сколько — вы увидите в разделе тестов.

Материнские платы и топология

Существует очень много материснких плат на разных чипсетах, в различных форм-факторах и с разными скрытыми особенностями. Ключевой особенностью в разгоне памяти на системах Ryzen является DIMM-топология, количество слоев PCB и DIMM-слотов.

Рекордсменом в разгоне оперативной памяти являются двухслотовые материнские платы, например ASUS ROG Strix X470-I Gaming.

Отсутствие двух дополнительных слотов серьезно влияет на качество сигналов и переотражения на линии. Что касается предельной частоты разгона без использования воды или азота — около 3866–3933 МГц.

Далее идут платы с топологией Daisy Chain, их преимущество заключается в оптимизированной длине линий (шины) между процессором и слотами А2 и В2.

Типичными представителями являются ASUS ROG Crosshair VII Hero, ASUS Prime X470-Pro и MSI X470 Gaming M7 AC.

3800 МГц это максимум, который доступен этим представителям при использовании двух модулей single rank и без использования экстримальных способов охлаждения.

При использовании четырех модулей разгон несколько хуже, предел находится на частотах 3400–3466 МГц.

Замыкают список платы с Т-топологией, которые имеют посредственные результаты разгона при использовании двух модулей оперативной памяти, но прекрасные результаты, если установлено четыре модуля (до 3533 МГц включительно). Яркие примеры — это Asrock X470 Taichi и ASUS ROG Crosshair VI.

Терминология

Ниже приведен список технических терминов, относящихся к разгону памяти с процессором Ryzen. Последний использует стандартную архитектуру памяти DDR4, поэтому вы можете быть знакомы с некоторыми из этих терминов. Некоторые другие термины являются новыми и характерными для UEFI материнских плат платформы AM4.

SOC Voltage — напряжение контроллера памяти. Предел 1,2 В.

DRAM Boot Voltage — напряжение, на котором происходит тренировка памяти при запуске системы. Лимит: до 1,45–1,50 В.

VDDP Voltage — это напряжение для транзистора, который конфигурирует содержимое оперативной памяти. Лимит: до 1,1 В.

VPP (VPPM) Voltage — напряжение, которое определяет надежность доступа к строке DRAM.

CLDO_VDDP Voltage — напряжение для DDR4 PHY на SoC. DDR4 PHY, или интерфейс физического уровня DDR4, преобразует информацию, которая поступает из контроллера памяти в формат, понятный модулям памяти DDR4.

Несколько нелогично, что снижение CLDO_VDDP часто может быть более выгодным для стабильности, чем повышение. Опытные оверклокеры также должны знать, что изменение CLDO_VDDP может сдвинуть или устранить дыры в памяти. Небольшие изменения в CLDO_VDDP могут иметь большой эффект, и для CLDO_VDDP нельзя установить значение, превышающее VDIMM –0,1 В. Tсли вы измените это напряжение, то потребуется холодная перезагрузка. Лимит: 1,05 В.

Vref Voltage — источник опорного напряжения оперативной памяти. «Настройка» взаимосвязи контроллера памяти и модуля памяти в зависимости от уровня напряжения, которое рассматривается как «0» или «1»; то есть напряжения, найденные на шине памяти ниже MEMVREF, должны рассматриваться как «0», а напряжения выше этого уровня должны считаться «1». По умолчанию этот уровень напряжения составляет половину VDDIO (около 0,500x). Некоторые материнские платы позволяют пользователю изменять это соотношение, обычно двумя способами: (1) «DRAM Ctrl Ref Voltage» (для линий управления с шины памяти; официальное название JEDEC для этого напряжения — VREFCA) и (2) «DRAM Ctrl Data Ref Voltage» (для строк данных с шины памяти; официальное название JEDEC — VREFDQ). Эти параметры настроены как множитель.

VTT DDR Voltage — напряжение, используемое для управления сопротивлением шины, чтобы достигнуть высокой скорости и поддержать целостность сигнала. Это осуществляется с помощью резистора параллельного прерывания.

PLL Voltage — определяет напряжение питания системы Фазовой АвтоПодстройки Частоты (ФАПЧ или PLL — Phase Locked Loop) и является актуальной лишь для повышения стабильности во время разгона системы с помощью BCLK. Лимит: 1,9 В.

CAD_BUS — САПР командной и адресной шины. Для тех, кто может тренировать память на высоких частотах (>=3466 МГц), но не может стабилизировать ее из-за проблем с сигнализацией. Я предлагаю вам попробовать уменьшить токи привода, связанные с «Командой и адресом» (увеличив сопротивление).

CAD_BUS Timings — задержка трансивера. Значения являются битовой маской (грубой / точной задержки). Аналог RTL/IOL в исполнении AMD. Имеют огромное влияние на тренировку памяти.

procODT — значение сопротивления, в омах, который определяет, как завершенный сигнал памяти терминируется. Более высокие значения могут помочь стабилизировать более высокие скорости передачи данных. Ограничение: нет.

RTT (время приема-передачи) — это время, затраченное на отправку сигнала, плюс время, которое требуется для подтверждения, что сигнал был получен. Это время задержки, следовательно, состоит из времени передачи сигнала между двумя точками. Настройка, которая отвечает за оптимизацию целостности сигнала. DRAM предлагает диапазон значений сопротивления нагрузки. Конкретное сопротивление приемника выводов DQ, представленное интерфейсу, выбирается комбинацией начальной конфигурации микросхемы и рабочей команды DRAM, если включено динамическое завершение на кристалле.

Geardown Mode — позволяет памяти уменьшать эффективную скорость передачи данных на шинах команд и адресов.

Power Down Mode — может незначительно экономить энергию системы за счет более высокой задержки DRAM, переводя DRAM в состояние покоя после периода бездействия.

BankGroupSwap (BGS) — настройка, которая изменяет способ назначения приложениям физических адресов в модулях памяти. Цель этого регулятора — оптимизировать выполнение запросов к памяти, учитывая архитектуру DRAM и тайминги памяти. Теория гласит, что переключение этого параметра может сместить баланс производительности в пользу игр или синтетических приложений.

Игры получают ускорение при отключенной BGS, а пропускная способность памяти AIDA64 была выше при включенной BGS.

Алгоритм настройки системы

Инструмент, который будет нам помогать с рекомендациями — DRAM Calculator for Ryzen. Самый главный, фундаментальный шаг — это запуск системы на определенной частоте, которую мы хотим получить. Для этого нам потребуется вручную установить такие настройки в UEFI: профиль XMP памяти (он может называться по-разному, смысл от этого не меняется), частоту для оперативной памяти (которую мы хотим получить), установить частоту BCLK (если присутствует такая настройка в прошивке), тайминги (которые рекомендует калькулятор), напряжение для SOC и DRAM (рекомендации калькулятора) и procODT + RTT (NOM, WR и PARK). Не забывайте про важный нюанс, что материнская плата или оперативная память может не справиться с вашими амбициями, потому советую посетить страницу поддержки вашей материнской платы и посмотреть QVL-список, в котором будут указаны частоты, на которых плата в заводских условиях функционировала без ошибок. Эта частота и будет нашей отправной точкой. Зачастую это 3000–3200 МГц.

Параметры procODT + RTT (NOM, WR и PARK) мы будем подбирать так, чтоб система имела минимальное кол-во ошибок. Тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset). Безусловно, от всех ошибок мы не сможем избавиться, и для этого нам нужен будет следующий шаг.

Цель следующего шага — поиск самого оптимального напряжения для DRAM и SOC, при которых система будет иметь минимальное кол-во ошибок. Сначала подбираем напряжение для SOC, а затем для DRAM (калькулятор вам подскажет диапазон). Для отлова ошибок используем тестовый пакет TM5 0.12 (Basic Preset).

В половине случаев вы можете на данном этапе получить полностью стабильную систему. Если тестовый пакет TM5 0.12 не находит ошибок, то вы должны увеличить спектр тестовых программ для проверки стабильности. Вы можете использовать LinX, HCI, Karhu, MEMbench и другие программы. В случае если вышеописанные утилиты нашли ошибку, то вам стоит перейти к следующему шагу, отладочному.

На отладочном шаге главная цель — это изменение определенных таймингов, указанные на иллюстрации ниже.

На данном этапе вы должны проверить по очереди влияние каждого тайминга на стабильность системы. Примечание: я не рекомендую изменять все задержки сразу, постарайтесь набраться терпения. Если тестируемый тайминг никак не улучшает ситуацию, мы его возвращаем на место и проверяем по списку следующую задержку.

На этом шаге основной инструктаж по отладке системы для простых пользователей заканчивается. Дальнейшие шаги я могу посоветовать более опытным оверклокерам, которые знакомы с разгоном достаточно давно.

Тонкая настройка CAD_BUS

и корректировка дополнительных напряжений.

На каждой иллюстрации присутствуют списки параметров, которые мы используем или изменяем. Эти списки я сформировал так, чтобы более приоритетные настройки, которые могут помочь улучшить стабильность, вы проверили первыми. Безусловно, вы можете пойти своей дорогой, четких правил и закономерностей нет.

Основные операции DRAM

Существует пять основных операций (или четыре, если объединить чтение и запись в одну), которые необходимо выполнить при доступе к данным в DRAM.

Активация открывает одну из строк DRAM в банке и копирует данные из открытой строки в буфер строк.

Восстановление гарантирует, что заряд, который расходуется из каждой ячейки в строке DRAM во время активации, восстанавливается до полного уровня, чтобы предотвратить потерю данных.

Чтение и запись могут выполняться после копирования данных активированной строки в буфер строк.

Precharge освобождает данные из буфера строк, когда контроллер памяти выполняет чтение и запись в активированную строку, и подготавливает банк для активации другой строки.

Из них задержка доступа DRAM в основном состоит из задержки трех операций: активация, восстановление и предварительная зарядка.

На рисунке выше показана временная шкала команд, выполненных для чтения (вверху) или записи (внизу) для одной строки данных кэша. Контроллер памяти выдает четыре команды: (1) ACT (активировать), (2) READ или (3) WRITE и (4) PRE (предварительная зарядка). Обратите внимание, что восстановление не имеет явной команды, а вместо этого запускается автоматически после команды ACT. Время, затрачиваемое на каждую операцию, определяется набором временных параметров, которые определяются поставщиками DRAM. Хотя каждая команда работает с гранулярностью строк, для простоты мы описываем, как операции DRAM влияют на одну ячейку DRAM.

В начальном предварительно заряженном состоянии (1) битовая линия поддерживается на уровне напряжения VDD / 2, где VDD — полное напряжение питания DRAM. Линия слова находится в 0 В, и поэтому битовая линия отключена от конденсатора. После того, как контроллер памяти выдает команду ACT (2), словосочетание повышается до Vh, тем самым соединяя конденсатор ячейки DRAM с разрядной линией. Так как в этом примере напряжение на конденсаторе выше, чем на разрядной линии, заряд поступает на разрядную линию, повышая уровень напряжения до VDD / 2 + δ. Этот процесс называется разделением заряда. Затем усилитель считывания измеряет отклонение на битовой линии и соответственно усиливает это отклонение (3). Эта фаза, называемая чувственным усилением, в конечном итоге приводит уровень напряжения разрядной линии и ячейки к исходному состоянию напряжения ячейки (в данном примере VDD).

Как только усилитель считывания достаточно усилил данные в битовой линии (например, уровень напряжения достигнет 3VDD / 4), контроллер памяти может выдать команду READ или WRITE для доступа к данным ячейки в буфере строк. Время, необходимое для достижения этого состояния (3) после команды ACT, задается параметром синхронизации tRCD, как показано на первом рисунке. После того, как команда READ или WRITE введена, фаза чувствительного усиления продолжает управлять напряжением на битовой линии (4), пока уровень напряжения битовой линии и ячейка не достигнут VDD. Другими словами, исходный уровень заряда ячейки полностью восстанавливается до исходного значения для READ или корректно обновляется до нового значения для WRITE.

Для запросов на чтение DRAM задержка для ячейки, которая будет полностью восстановлена после ACT, определяется параметром синхронизации tRAS. Для запросов записи DRAM время, необходимое для полного обновления ячейки, определяется tWR. После восстановления битовая линия может быть предварительно заряжена с помощью команды PRE, чтобы подготовить подмассив для будущего доступа к другой строке. Этот процесс отключает ячейку от разрядной линии путем понижения напряжения на словарной линии. Затем он сбрасывает напряжение разрядной линии до VDD / 2. Время завершения операции предварительной зарядки определяется параметром синхронизации tRP.

Значения tRCD и tRAS могут быть значительно ниже, чем в даташитах. Как так?

Обычные микросхемы DRAM выполняют операции активации и восстановления с использованием фиксированной задержки, которая определяется значением параметров синхронизации, показанных на первом изображении. Однако существуют способы, с помощью которых задержки для активации и восстановления могут быть уменьшены путем использования текущего уровня заряда ячейки. Если элемент имеет высокий уровень заряда, соответствующий процесс возмущения напряжения на битовой линии во время активации происходит быстрее, и, следовательно, усилителю считывания требуется меньше времени для достижения состояний 3 и 4 на втором изображении. «ChargeCache» — это современный механизм, который использует эту информацию для безопасного уменьшения временных параметров tRCD и tRAS для сильно заряженной ячейки.

ChargeCache отслеживает строки, к которым недавно был получен доступ, что означает, что их ячейки имеют высокий уровень заряда, поскольку с момента последнего восстановления ячеек до полного уровня заряда прошло только короткое время. Поэтому, если недавно активированная строка снова активируется в течение короткого интервала времени (например, 1 мс), ChargeCache использует более низкие значения tRCD и tRAS для строки, что уменьшает общую задержку доступа к DRAM. Аналогичный подход может быть применен для уменьшения времени восстановления. В обычном чипе DRAM каждая команда ACT запускает операцию восстановления, которая полностью восстанавливает уровень заряда ячеек в активированном ряду. Аналогично, каждая операция обновления полностью восстанавливает уровень заряда элемента в фиксированный интервал времени (каждые 64 мс в DDRx DRAM).

Существует также механизм Restore Truncation, который частично восстанавливает уровень заряда ячейки ровно настолько, чтобы сохранять правильные данные — до следующего обновления ячейки. Одним из элементов управления для этого механизма является время tWR и tRAS.

Некоторые предустановки, опубликованные в моей статье, используют эти механизмы, поэтому я советую вам забыть о типичных формулах, которые вы можете найти в Интернете.

Выводы

Поскольку элемент DRAM состоит из конденсатора, элемент теряет заряд, даже когда к нему нет доступа. Чтобы предотвратить потерю данных, DRAM должен выполнять периодические операции обновления для всех ячеек. Операция обновления возвращает уровень заряда ячейки к ее полному значению.

Современные микросхемы памяти позволяют устанавливать агрессивные временные интервалы благодаря механизму Restore Truncation и ChargeCache.

Микросхемы SDRAM в некотором смысле позволяют выполнять третью и четвертую операции параллельно. Если быть точным, команда перезарядки линии PRECHARGE может быть отправлена за определенное количество тактов x до момента, когда был выпущен последний элемент данных запрошенного пакета, не опасаясь возникновения «сломанной» ситуации в переданном пакете (последнее произойдет, если команда PRECHARGE отправит команды READ с периодом времени меньше x).

Чтобы предотвратить потерю данных в ячейках, вы можете увеличить напряжение DRAM или изменить временные характеристики, которые отвечают за предварительную зарядку и обновление. Регулировка tRP и tRFC будет иметь наибольшее влияние, tWR и tRTP также могут помочь. Я не советую поднимать значение tWR выше 12.

tRC> = tRAS + tRP. Для большинства случаев это должна быть оптимальная формула.

tRAS = tRCD + tCL. У меня нет четкого определения для этого тайминга, оно может быть равно tRCD + tCL, но иногда значительно ниже из-за механизмов, перечисленных выше. Также не стоит забывать и о запасе, пределы которого определяются чисто экспериментальным путем, поскольку каждый чип имеет различные характеристики ячеек. Вот вам один из примеров.

Для высоких частот я использую формулу из первого рисунка. tRAS = tRCD + tBL + tWR, где tWR тюнингованное, которое равно 12 или 10. tBL для DDR4 всегда равен 4, но контроллер может использовать и 2.

procODT, RTT и CAD_BUS: что это такое и с чем его едят?

Я хочу обратить особое внимание на важные термины , такие как «procODT», «RTT» и «CAD_BUS», описать, на что они влияют, как их настраивать и что они могут нам рассказать.

Как я упоминал ранее, пользователи столкнулись с огромным количеством проблем, когда вышло первое поколение процессоров Zen. В обзорах была паника, а на форумах было очень мало настоящих экспертов. Единственная тема, которая была — «память плохо разгоняется». Через некоторое время появились первые пресеты от уважаемого Stilt, они стали чудом для сообщества AMD, но, тем не менее, секреты и зависимости не были раскрыты.

Один из самых частых вопросов, который можно найти в форумах о системах Ryzen: «От чего зависит разгон памяти?».

Итак, давайте разбираться. В нашем случае успех разгона зависит от трех компонентов: материнской платы, IMC (контроллера памяти) и самой памяти.

Материнская плата

Большинство плат на базе чипсетов AMD 300 серии имеют T-топологию, и максимальная тактовая частота памяти в большинстве случаев ограничена 3466 МГц. Но есть «фишка», которая позволить нам незначительно подвинуть этот предел. Настройка САПР.

Если нам удастся настроить САПР, то мы сможем получить 3600 МГц. Чтобы понять, почему разгон ограничен такой довольно низкой частотой, нужно взглянуть на печатную плату материнской платы.

Каждая сигнальная трасса на печатной плате является проводником, сигнальной линией, которая может повлиять на другие сигнальные линии. Кроме того, существует вероятность паразитных связей (паразитная индуктивность и высокочастотные помехи). Чтобы бороться с отрицательными связями, каждый разработчик материнской платы должен правильно спроектировать все сигнальные трассы.

Выше изображено такое изменение конструкции, которое добавляет «кривую», заменяя прямую линию. Это изменение может кардинально изменить возможности сигнальной линии.

Также форм-фактор, количество слоев печатной платы и состав проводников влияют на качество материнской платы. Для плат более дорогого сегмента часто выделяется больше времени на разработку и обычно используются более качественные базовые компоненты. Еще одним ключевым отличием материнских плат на чипсетах серии «X» является увеличенное количество слоев PCB (вместо 3–4 слоев мы имеем 6–8). Это, безусловно, влияет на те самые «паразитные связи». Зачастую на каждой мат плате на одном из краев будет набита надпись, которая свидетельствует о количестве слоев.

Умные слова это, конечно, интересно, но как распознать качественную материнскую плату? procODT. И чем ниже рабочий procODT, тем лучше результаты разгона, которые вы можете получить на этой материнской плате. Специально для лучшего понимания я создал несколько таблиц, которые могут продемонстрировать вам различия.

В результате мы видим колоссальную разницу между материнскими платами. Я считаю это одной из главных проблем пользователей. И в их выборе, я думаю, виноваты рецензенты материнских плат. За последние два года я не видел обзоров на YouTube, где были рассмотрены топология материнской платы и ее возможности. Рассматривалась коробка, ее содержимое, режимы RGB, как выглядит охлаждение VRM или какая красивая футболку надета на рецензента.

Нет обзоров, в которых вы найдете реальные расчеты возможностей VRM. Вместо этого используются числа, которые существуют только в даташитах при идеальных тестовых условиях и при 25 °C, с идеальным поверхностным монтажом. Одно значение умножается на другие. Вот и весь обзор. Но вернемся к нашей теме.

В качестве бонуса у меня есть еще две рекомендации для вас, на что стоит обратить внимание при покупке материнской платы:

  • Это шаг напряжения для DRAM и шаг VTT DDR. Существуют платы с шагом VDRAM 0,01 В, а некоторые имеют 0,005 В. То есть в первом случае мы получаем 1,35 В, 1,36 В и т.д., а во втором случае получаем 1,35 В, 1,355 В, 1,36 В. Во втором случае мы значительно увеличим шансы на стабилизацию DRAM, так как у нас увеличилась гранулярность.
  • Напряжение DRAM, которое вы устанавливаете в UEFI, не всегда будет точным. Это может быть ниже, это может быть выше. Иногда возникают ситуации, когда VTT DDR не соответствует половине реального напряжения DRAM. Вам нужно будет настроить другие значения соответственно. Напомним формулу VTT DDR = 1/2 * vDRAM. Платы с большей гранулярностью автоматически получают преимущество.

Оперативная память

Я часто слышу на форумах «там есть Samsung B-die, но они работают на низкой частоте и с огромным напряжением, этого не может быть, виновато AMD». Я объясню. Модуль RAM состоит не только из микросхем от конкретного производителя, но и из печатной платы (она тоже имеет определённое количество слоев), на которой мы найдем сотни сигнальных линий. Конденсаторы (обвязка) и, конечно, чип-биннинг оказывают огромное влияние.

Например, мы можем найти в магазинах оперативную память от Corsair — Vengeance RGB Pro 3600MHz C16, которая использует тот самый знаменитый B-die, но мы не найдем рекордов на этом продукте. Рассмотрим другой пример — G.Skill Sniper X F4-3400C16D, который не выглядит «вкусным» по сравнению с предыдущим комплектом от Corsair. Однако, если мы сравним результаты разгона, то получится что-то вроде 3200–3466 МГц с CL14 против 3666–3733 МГц с CL14 в пользу набора G.Skill. Поэтому при выборе оперативной памяти советую посетить форумы.

Нюанс. Так как модуль памяти несет на себе несколько чипов памяти, может возникнуть ситуация, когда один из чипов будет иметь иные вольт-частотные характеристики. Такие чипы могут потребовать на несколько шагов больше напряжения для стабилизации на определенной частоте, чем их братья и сестры. При этом другие микросхемы могут стать нестабильными из-за повышенного напряжения. Идеальным вариантом для пользователя является покупка набора с заводским разгоном более 3600 МГц. Это даст вам дополнительную гарантию того, что все чипы могут достигать целевой частоты (заводской бининг все же штука полезная).

Контроллер памяти

Оба поколения контроллеров памяти Ryzen в большинстве случаев ограничены частотой UCLK 1733–1766 МГц (от DDR-3466 до DDR-3525). Безусловно есть случаи, когда контроллер может работать и на более высоких частотах. Чтобы упростить жизнь нашему контроллеру памяти, можно использовать модули, способные работать с очень низким procODT, что значительно меняет согласование сигналов. Рабочий диапазон procODT, по словам AMD, находится в диапазоне 40–60 Ом. 68 Ом уже за пределами зеленой зоны. Стабильность в этой области будет сильно зависеть от настроек САПР (CAD_BUS) и качества материнской платы.

В приведенной выше таблице показано, как procODT / RTT может меняться с ростом частоты DRAM.

Дабы улучшить восприятие этой информации, представьте циферблаты механических часов. procODT будет считать часы, RTT_PARK будет считать минуты, а CAD будет действовать как секундная стрелка. Для каждой частоты циферблаты на часах будут показывать разные результаты. Но есть нюанс, так как AMD очень любит менять настройки контроллера памяти с каждым последующим микрокодом, есть вероятность, что наши «механические часы» сломаются.

Чтобы быть готовы к подобному повороту событий, мы должны проверить сначала соседние значения RTT_PARK и только затем попытаться изменить procODT. В большинстве случаев кардинальных изменений в прошивках PMU (контроллера памяти) нет. Так же вам не следует спешить менять САПР, поскольку в нем слишком много переменных, и вы можете потерять много времени, пытаясь стабилизировать систему. Существует несколько алгоритмов выбора САПР, но на данный момент я не могу с уверенностью сказать, насколько они эффективны. Я считаю, что САПР не может иметь кардинальных отличий от базовых значений 24-24-24-24, и в большинстве случаев одно из значений можно перемещать вверх или вниз. То есть опция 24-30-24-24 может иметь дополнительный запас безопасности для частоты 3466+ МГц.

Из моих предпочтений это 20-20-20-20, в данном режиме присутствует чуть больший запас «прочности», когда оперативная память подбирается к 52 градусам.

В будущем я постараюсь дополнить эту статью поиском идеального САПР.

Зависимость рабочего напряжения DRAM от procODT и RTT

Я провел небольшой тест, в котором использовал разные настройки для напряжения procODT и DRAM. Идея состоит в том, чтобы установить минимально возможное значение DRAM Voltage и избежать BSOD во время теста.

На основании результатов, полученных в этом простом и коротком тесте, мы можем сделать вывод: после изменения procODT стабильное рабочее напряжение DRAM может измениться. Также имеется небольшое влияние RTT на рабочее напряжение памяти.

Холодная загрузка или двойной старт

Нет пользователей процессоров Ryzen, которые не сталкивались с холодным или двойным стартом (иногда даже с тройным). Я могу сразу заверить вас, что в этом нет ничего плохого. Это тесно связано с тренировкой памяти. Когда система не может запуститься в первый раз, запускается алгоритм, который изменяет некоторые параметры, недоступные пользователю, и пытается запустить систему снова. На это явление могут влиять procODT, RTT и CAD.

Иногда внешний BCLK генерируют двойной старт (система тренируется на внутреннем BCLK, а затем на внешнем ). В любом случае, попробуйте следовать рекомендациям калькулятора.

Так же львиная доля успешной тренировки отводится CAD_BUS Timings. Это сложное название является настройкой задержек приемо-передатчика. Формулами я вас томить не буду, конкретные значения будут предлагаться калькулятором, начиная с версии 1.5.2.

Полезные советы и хитрости

  • Не используйте слишком высокие напряжения для SOC и DRAM. Калькулятор подскажет вам, в каком диапазоне значений вы должны попытаться получить стабильный результат. Как правило, лучшие значения SOC находятся в диапазоне 1,025–1,05 В для десктопов и 0,975–1,025 для HEDT.

  • Джиттер. Отклонение цифрового сигнала в результате отражений, межсимвольных помех, перекрестных помех, колебаний PVT (напряжение–температура–процесс) и других факторов составляет джиттер. Некоторый джиттер просто случайный.
  • Яркий пример я даже записал на видео, память потеряет стабильность, когда прогреется до 52,3 градусов. В прочем, в этом ничего особенного, дискотеку для эпилептиков можно получить даже на прогретой HBM.

    Всегда используйте дополнительное охлаждение для оперативной памяти. Так же был замечен положительный эффект от настройки CAD_BUS 20 20 20 20. Система была стабильна впредь до 58 градусов.

    • Изменение в procODT или RTT требуется, когда система не выполняет POST, имеет огромное количество ошибок или происходит BSOD.

    VRM frequency для DRAM и SOC. Оптимален в диапазоне 350–400 кГц.

    Одиночные и редкие ошибки можно исправить, изменив tRDWR (с 6 до 9) и tWRRD (с 1 до 4). Обратите внимание, что время должно быть настроено в парах. Пример: tRDWR 6 и tWRRD 2, tRDWR 6 и tWRRD 3, tRDWR 6 и tWRRD 4, tRDWR 7 и tWRRD 1 и т.д.

    Одиночные и редкие ошибки можно исправить, изменив tRFC. Калькулятор предлагает несколько вариантов для tRFC. Кроме того, не забывайте, что tRC кратно tRFC. Например, tRC = 44 -> tRFC 6 (или 8) * 44; tRFC 2/4 не нужно настраивать для Ryzen.

    Включение Geardown может улучшить стабильность системы.

    VDDP может улучшить стабильность системы. Рекомендуемый диапазон: от 855 до 950 мВ. Попробуйте увеличить его с шагом 10–15 мВ. Мне нравится 900 мВ.

    Отключение spread-spectrum может улучшить стабильность системы.

    Источником ошибок также может быть Windows. В последнее время Microsoft доказала, что даже калькулятор можно сделать с багами.

    Увеличение tRCDRD и tRP на 1 может улучшить стабильность и снизить требования к напряжению памяти.

    Отключенный RTT_NOM иногда будет иметь лучшую стабильность.

    Увеличение значений RTT_PARK или procODT может улучшить стабильность.

    Не забудьте следовать правилу tRC = tRAS + tRP.

    CLDO_VDDP. Наилучшие значения: по умолчанию (850 мВ), 950 мВ, 945 мВ, 940 мВ, 915 мВ, 905 мВ, 895 мВ, 865 мВ и 840 мВ.

    Четные значения для tWRWR SCL и tRDRD SCL могут улучшить стабильность системы. Например, 4-4 или 6-6.

  • Чрезмерный разгон процессора может негативно сказаться на стабильности работы оперативной памяти.
  • CAD_BUS 24 30 24 24 может быть полезен для конфигураций с двумя модулями, а 24-20-24-24 для конфигураций, состоящих из четырех модулей.

    Следите за новыми прошивками к материнской плате, которые включают обновления AGESA, поскольку новые версии улучшают возможности настройки памяти.

    Смена местами планок оперативной памяти может положительно повлиять на разгон и стабильность.

    Существует немало комплектов памяти, в которых один из чипов будет иметь дефект. Отсюда проблема стабильности или разгона. Вероятность встретить такое чудо велика, из 16 модулей у меня было три с дефектами, которые обменивались по гарантии.

    Существует немало 2-х и 4-х канальных комплектов памяти, в которых один или несколько модулей будет иметь выраженные, отличные от соседей вольт-частотные характеристики.

  • Ручная настройка CAD_BUS timings может облегчить тренировку или улучшить стабильность системы.
  • Стенд

    Тестовый стенд был следующий:

    • процессор: AMD Ryzen 2700X;
    • система охлаждения: NZXT Kraken X62;
    • материнская плата: MSI X470 GAMING M7 AC (UEFI V1.51);
    • память №1: 2x8GB G.Skill Sniper X 3600C19 (Hynix CJR 18 nm, Single Rank);
    • память №2: 2x8GB G.Skill Sniper X 3400C16 (Samsung B-die 20 nm, Single Rank);
    • память №3: 2x16GB G.Skill Trident Z 3000C14 (Samsung B-die 20 nm, Dual Rank);
    • видеокарта: MSI GeForce GTX 1080 Ti GAMING X;
    • накопитель: Samsung 970 Pro 512GB;
    • блок питания: Corsair HX750i;
    • операционная система: Windows 10 64-bit Fall Creators Update;
    • драйверы: NVIDIA GeForce 417.35 WHQL.

    Все опубликованные пресеты имеют полную стабильность. Не забывайте, что нет универсальной предустановки. Различные топологии материнских плат, бининг памяти и процессора — это всегда лотерея. Если нет стабильности, сначала попробуйте соседние напряжения для SOC и DRAM.

    Дополнительную информацию и пресеты настройки можно найти в программе DRAM Calculator for Ryzen.

    2133 MHz — Default

    • SOC Voltage: auto.
    • Memory Voltage: auto.
    • Power Down Mode: auto (enabled).
    • Gear Down Mode: auto (enabled).

    Samsung b-die 3200 MHz CL14 XMP (single rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.35 V.
    • Power Down Mode: auto (enabled).
    • Gear Down Mode: auto (enabled).

    Samsung b-die 3200 MHz CL14 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.36 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: disabled.

    Samsung b-die 3200 MHz CL14 (dual rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.37 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: enabled.

    Samsung b-die 3200 MHz CL14 (multi rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.35 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: disabled.

    Samsung b-die 3200 MHz CL12 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.50 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: disabled.

    Samsung b-die 3333 MHz CL14 (dual rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.39 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: enabled.

    Samsung b-die 3400 MHz CL14 (multi rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.39 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: enabled.

    Samsung b-die 3466 MHz CL14 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.42 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: disabled.

    Samsung b-die 3533 MHz CL14 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.44 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: disabled.
    • RTT_PARK: 48 ohm (RZQ/5) or 60 ohm (RZQ/4).

    Samsung b-die 3600 MHz CL14 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.1 V.
    • Memory Voltage: 1.45 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: enabled.

    Hynix CJR 3200 MHz CL14 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.37 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: disabled.

    Hynix CJR 3200 MHz CL14 (multi rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.37 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: disabled.
    • procODT: 48 ohm.
    • RTT_NOM: 34 ohm (RZQ/7).
    • RTT_WR: disabled.
    • RTT_PARK: 40 ohm (RZQ/6).

    Hynix CJR 3400 MHz CL14 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.45 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: disabled.

    Hynix CJR 3466 MHz CL16 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.35 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: disabled.

    Hynix CJR 3600 MHz CL16 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.1 V.
    • Memory Voltage: 1.40 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: enabled.

    Hynix CJR 3800 MHz CL16 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.1 V.
    • Memory Voltage: 1.42 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: enabled.

    Hynix MFR/AFR, Micron b-die 3200 MHz CL16 (single rank)

    • SOC Voltage: 1.025 V.
    • Memory Voltage: 1.35 V – 1.37 V.
    • Power Down Mode: disabled.
    • Gear Down Mode: enabled.

    Результаты тестирования

    AIDA 64

    -43% задержка , +78% пропускная способность памяти, не плохо?

    SiSoftware Sandra

    Тест, который демонстрирует эффективность процессорной взаимосвязи, эффективность обработки ядрами блоков данных и передачи их другим ядрам для дальнейшей параллельной обработки (парадигма производитель-потребитель) разных размеров и цепочек разных размеров. На простом языке — тест Infinity Fabric.

    В этом тесте я хотел показать вам, как время и частота влияют на многопоточную производительность процессора. Мы видим улучшения в задержке (21–28%) и пропускной способности Infinity Fabric (+17%). Это уникальное явление, которое доступно только процессорам Ryzen.

    Cinebench R20.0

    Blender 2.80

    К сожалению, разгон памяти не дает ощутимого роста в пакетах, которые используют сырую вычислительную мощность процессора.

    3DMark

    Довольно неплохая реакция на разгон оперативной памяти, в лучшем сценарии мы можем наблюдать прирост в размере +17% по очкам. Так же хочу отметить один нюанс, сборка Windows 10 1903 и чипсетные драйверы 19.10 содержат обновленный алгоритм взаимодействия планировщика ОС с многоядерными процессорами Ryzen. Будьте внимательны, мои результаты могут быть куда хуже ваших из-за разных версий Windows.

    Metro Exodus

    Вы можете спросить, почему я выбрал такие низкие настройки графики. Все просто, я хотел показать вам результаты, которые не будут зависеть от возможностей видеокарты.

    Эта игра (как и многие другие) хорошо отреагировала на разгон, мы видим преимущество до 28% (Avg fps). Минимальный fps в этом тесте был довольно непредсказуемым. Возможно, причина в посредственной оптимизации игрового движка или планировщика Windows. Обычно это исправляется в патчах.

    Assassin’s Creed Odyssey

    В этой игре даже при минимальных настройках качества я получил упор в видеокарту. Минимальная загрузка видео ядра составила 85%. Это означает, что тест является гибридной версией, и для раскрытия потенциала процессора Ryzen 7 2700X вам может потребоваться видеокарта, более мощная, чем GeForce GTX 1080 Ti.

    Тем не менее, мы можем наблюдать значительное увеличение производительности из-за качественного разгона оперативной памяти (+30% fps).

    The Witcher 3

    Тест проводился в городе Новиград с одинаковым маршрутом для всех предустановок.

    Эта игра любит тюнинг ОЗУ. Один из лучших результатов — +47% к среднему fps. Это означает, что вы можете наслаждаться комфортным игровым процессом на мониторе с частотой развертки 144 Гц.

    Shadow of the Tomb Raider

    +38% к среднему fps.

    Сonclusions

    Это руководство я планирую постоянно обновлять и дополнять. Возможно, будут добавлены дополнительные результаты тестирования в других играх, хотя в этом смысла не так уж много ибо большинство проектов продемонстрируют аналогичный рост производительности. Плюс 40% к среднему fps это не миф и не сказки. Это реальность, которую можно достичь, если у вас: а) железо подобрано грамотно; б) вы проявили пару дней терпения для прочтения и дальнейшего осознания сей писанины.

    К сожалению, в Интернете существует множество обзоров, в которых недостаточно внимания уделяется настройке ОЗУ. И я не говорю о профилях XMP, которые в 99% случаев не имеют стабильности или имеют посредственную производительность. Из-за отсутствия стабильности я не включил типичные профили XMP 3600C16/19 в это руководство. Вы можете наблюдать огромный прирост fps, несмотря на то, что процессор работал в режиме по умолчанию (сток). Средняя частота процессора в играх колебалась от 3975 до 4075 МГц.

    Одним из интересных нюансов, который возник во время тестирования — проблемы со стабильностью ОЗУ, когда процессор работал на частоте 4200 МГц. Я объясню. Процессор и оперативная память находятся на противоположных сторонах качелей. Если у нас чрезвычайно разогнанный процессор, то в большинстве случаев мы теряем несколько шагов при разгоне оперативной памяти и наоборот.

    Поэтому я не советую ориентироваться на разгон процессора, если вы используете компьютер только для игр. В любой игре видеокарта будет самым слабым звеном во всей системе. В каждой игре произойдет увеличение производительности от разгона оперативной памяти. Вам не хватит одной карты GeForce RTX 2080 Ti, а в некоторых играх вам может понадобиться несколько таких адаптеров, чтобы раскрыть потенциал процессора.

    Безусловным лидером в тестировании является оперативная память на чипах Samsung. Есть варианты с частотой 3200 МГц и CL14, а есть 4200 МГц и CL18, но в большинстве случаев вы переплачиваете за название. Казалось бы, тут пахнет отбором, но нет, в большинстве случаев обе плашки с одного комплекта будут иметь разные вольт-частотные характеристики. Большинство памяти на чипах Samsung B-die может работать в режиме 3466–3533 МГц с CL14. Если у вас проблемы с финансами, советую обратить внимание на SK hynix CJR, например G.Skill Sniper X 3600C19 или Ballistix 3000C15 AES на Micron E-die. Стоимость этих комплектов колеблется в районе 80–100 долларов. Вы получите высококачественную память, которая идеально подходит для процессоров Ryzen.

    А что же ждать в будущем, на что стоит обратить внимание, а на что нет? Zen 2 — поколение процессоров, которое мне сложно назвать «рефрешем», это оказалось нечто большее, но об этом уже после 7-го июля. Х570 — «жирные» платы с большими амбициями, с PCI Express 4.0, с новым поколение топологии Daysi Chain, у которой предел ограничен только здравым смыслом. К примеру, в UEFI рубеж установлен на уровне 6000 МГц, против 4200 МГц на X470 и к нашему счастью это не маркетинг. Ближе к концу года мы увидим обновление для Samsung B-die с CAS 6,75 против текущих 8,75 нс.

    Возвращаясь к нашему гайду и теме в целом хочу посоветовать вам при выборе комплектующих обращаться на форумы. На данный момент существует огромное количество тем, в которых ребята могут рассказать, что выбрать, рассказать о достоинствах или недостатках, помочь решить проблему или разогнать. Вы не одиноки и не стесняйтесь спрашивать (чтение шапок никто не отменял). В крайнем случае, вы можете написать мне.

    Особая благодарность компании AMD, и, в отдельности, Джеймсу Приору, Стиву Бассетту и Сэми Макинену за предоставленные образцы и круглосуточную обратную связь.

    Какой смысл в разгоне оперативки DDR4 на Ryzen?

    Amain

    Бог флуда

    Материнка ASUS TUF B450-PRO GAMING
    Процессор Ryzen 2600, разогнанный до 4GHz 1.300v
    Видеокарта Sapphire PULSE RX 5700 XT
    Оперативка Ballistix Sport LT grau BLS2K8G4D30BESBK 16GB Kit (8GBx2) RAM

    XMP профиль 3000 MHz тайминги: 16-18-18-18-38 1.35v
    Разогнал её до 3466 MHz тайминги: 16-19-19-19-38 1.35v
    Первый раз разгоняю оперативку, тайминги хоть адекватные стоят?, про настройку двоичных, третичных таймингов даже не говорите. мне пока нужно разобраться с самым лёгким, а потом уже полезу в дебри.

    Показатели в тесте оперативной памяти AIDA64 улучшились. В играх вообще не увидел никакой разницы, смотрел в Demo Resident Evil 3, DOOM Eternal, надеялся хоть на 3-5FPS. играл ещё в CS GO, FPS вроде как такой-же и остался, какие игры вообще требовательны к частоте оперативки? Сейчас пытаюсь найти прирост в других играх.

    В AIDA64 делал стресс тест на 3466 MHz, двадцать минут прогнал и выключил, ошибок никаких не было, играл в игры несколько часов, тоже всё норм.

    Ставил частоту 3533 с такими же таймингами: 16-19-19-19-38 1.35v
    Комп запустился, даже успел посмотрел какие результаты будут с таким разгоном, но через некоторое время выскочил синий экран смерти.

    Поставил 3600 MHz с таймингами: 16-19-19-19-38 1.35v, комп вообще не запустился, и не получалось зайти в BIOS, пришлось вытащить батарейку, поставил на рабочие 3466 MHz. Какие примерно тайминги можно поставить для 3600 MHz?

    Вообще есть смысл в 3466 MHz с увеличенными таймингами, по сравнению с стандартными 3000 MHz, или вернуть всё обратно?

    Экспресс-обзор модулей памяти DDR4 GoodRAM IRDM

    Производители модулей оперативной памяти на данный момент готовы розничному покупателю самые разнообразные варианты своей продукции. Где-то в бюджетном сегменте «живут» продаваемые по-одиночке недорогие модули минимальной емкости (для DDR4 это составляет уже 4 ГБ, что некогда считалось серьезной величиной, превосходящей способности массовых операционных систем) с минимальной тактовой частотой и без каких-либо украшений. Дальше начинают появляться радиаторы, вентиляторы и даже настраиваемая подсветка. Емкость комплектов начинает исчисляться десятками гигабайт, тактовые частоты уверенно стремятся к 4 ГГц и выше. В общем, выбор на любой вкус и толщину кошелька. Хотя если открыть практически любой готовый системный блок (и неважно — небольшого сборщика или крупной корпорации) с вероятностью 90 процентов обнаружим мы там нечто очень бюджетное на вид. А нужны ли все остальные варианты?

    Долгое время ответ на это был скорее отрицательным. Нет, разумеется, многие приобретали «красивые» модули просто из эстетических соображений, да и плох тот энтузиаст, который откажется от дополнительной производительности — пусть даже ее можно было «увидеть» лишь вооруженным тестовыми утилитами глазом. В общем, определенный рынок сбыта существовал всегда. Но политика Intel за время господства компании на рынке настольных систем высокой производительности, очень уж его ограничила. Повлиять на художественную составляющую компания не могла, а вот с настройкой параметров работы из-за блокировки всех возможных множителей в большинстве процессоров и чипсетов дело обстояло плохо. Точнее, вообще никак — за исключением специально отобранных процессоров на топовых системных платах. В общем, хобби за соответствующие деньги, что позволяло особо не заботиться и выбором памяти. На практике, в общем-то, и «обычные» модули неплохо разгонялись — но для начала надо было «вложиться» в соответствующий процессор и плату. Да и прирост производительности оказывался не таким уж заметным — независимо от того, выбирались изначально «оверклокерские» модули или разгонялись обычные. В частности, знакомились мы пол-года назад с модулями Goodram DDR4-2400 — совершенно обычными безо всяких радиаторов и прочих украшений. Без каких-либо проблем их удалось разогнать на 29% (от 2400 до 3100 МГц), однако производительность системы в реальных приложениях выросла в среднем на 2,6%. C одной стороны — тоже не лишнее, с другой — интересно лишь при прочих равных, но не как какая-то цель.

    Но тогда же весной произошел и заметный (в узких кругах) всплеск интереса к высокочастотной (либо хорошо разгоняемой) памяти, связанный с появлением процессоров семейства AMD Ryzen. Обусловлен он был не одной, а даже несколькими причинами. Во-первых, все процессоры семейства (от дорогих до самых дешевых) позволяют свободно менять любые множители. Во-вторых, для разгона пригодны не только платы на старшем для АМ4 чипсете, но и более дешевые модификации. Более того — конкретно для разгона памяти вопреки первоначальным заявлениям подходят даже самые дешевые платы на чипсете А320. В-третьих же и в главных — архитектура новых процессоров позволяла надеяться на то, что и производительность будет хоть немного зависеть от частоты памяти, поскольку с последней оказалась жестко связана частота работы шины Infinity Fabric, связывающей четырехъядерные ССХ в кристалле.

    Во всяком случае, так оно выглядело в теории. А есть ли практически заметная разница? Иными словами, можно ли использовать совместно с процессорами данного семейства недорогие модули памяти или лучше от этой идеи отказаться? Понятно, что для покупателя Ryzen 7 и топовой системной платы этот вопрос сам по себе имеет теоретическое значение — в дорогой системе все должно быть прекрасно 🙂 Вот в недорогой — хорошо бы в первую очередь «недорого», а все остальное уже по-возможности.

    И тут практически как по заказу к нам в руки попала пара модулей памяти GoodRAM IRDM. В ассортименте производителя таковые занимают промежуточное положение между представителями обычной серии и предназначенными для оверклокеров, геймеров и прочих энтузиастов GoodRAM Play. По розничным же ценам они соответствуют как раз наиболее простым и недорогим модулям DDR4. По большинству технических характеристик, впрочем, тоже — в семейство входят модули DDR4 с частотой 2400 МГц и схемой таймингов 15-15-15, емкостью 4 и 8 ГБ. Приобрести их можно по одному или парой — в виде комплектов на 8 и 16 ГБ (в нашем случае это и был как раз комплект IR-2400D464L15S/16GDC, хотя каждый модуль имел отдельную упаковку). Первое сейчас является минимальным значением для бюджетного персонального компьютера, второе — оптимальным для компьютера среднего уровня. Что же касается тактовой частоты, то она является максимальной поддерживаемой официально (т. е. доступной без разгона) процессорами Intel Core седьмого поколения и даже немного превосходит возможности шестого (но уже отстает от восьмого). А вот для процессоров AMD Ryzen такая частота считается низкой, хотя и вполне допустимой на практике.

    Что же отличает серию IRDM от наиболее массовых и недорогих модулей? Согласно утверждению производителя, в них использованы чипы наилучшего качества, а также 8-слойная печатная плата черного цвета. Кроме того, на модулях имеются радиаторы. Последние выполняют, скорее, декоративную функцию, поскольку современным микросхемам памяти сильно нагреваться несвойственно, и представляют собой тонкие алюминиевые полоски. Расположенные при этом на обоих сторонах модуля, хотя чипы распаяны только на одной. С другой стороны, они ничему не мешают, оставляя модулям стандартную высоту в 31 мм, зато немного оживляют картину. В продаже доступны четыре цвета: красный, синий, черный и белый. Нам достался как раз первый из них. Основной недостаток радиаторов — сложно определить: какие же чипы используются. Маркировки не видно, тестовые утилиты по содержимому SPD ничего конкретного не выдают (видимо над данным вопросом специалисты Wilk Electronics поработали специально), а удаление радиаторов приводит к потери гарантии. Таким образом, заранее следует ориентироваться на то, что это «кот в мешке», причем «кота» в разных партиях могут продавать разного. Что обещано напрямую — покупатель, разумеется, получит. Вот только обещано немного.

    Для практической проверки модулей мы собрали тестовый стенд на базе платы Asus Crosshair VI Hero и процессора AMD Ryzen 5 1600 — как нам кажется, именно в системах такого класса применение недорогой памяти наиболее оправданно. Для быстрой проверки низкоуровневых характеристик мы воспользовались тестовым модулем программы AIDA64 5.92.4343.

    Стоит отметить, что SPD модулей прописаны все необходимые параметры для режима DDR4-2400, так что в автоматическом режиме выбирается именно он. Как и следовало ожидать, никаких XMP-профилей и других средств автоматического разгона нет. Ориентация на экономного покупателя — который что-либо настраивать вряд ли станет, но хочет купить недорогие «красивые» модули.

    Без увеличения напряжения питания (оставив стандартные 1.2 В) нам удалось повысить частоту памяти до 2666 МГц со схемой 16-16-16.

    Его увеличение до 1,35 В (стандартных для большинство оверклокерских модулей) улучшило результат лишь незначительно — до 2800 МГц с теми же таймингами. Установив Command Rate в 2T и снизив тайминги до значения 18-18-18 нам удалось подняться еще на ступеньку выше — до 2933 МГц. Однако радость оказалась преждевременной — нам не удалось провести полное тестирование на данной частоте из-за сбоев в работе приложений. Таким образом, более-менее рассчитывать можно на 2800 МГц. Во всяком случае, это верно для нашего экземпляра: как уже было сказано выше, конкретные чипы могут легко меняться в процессе выпуска, причем проконтролировать это покупатель фактически не сможет.

    Сведем результаты тестов пропускной способности памяти в полученных трех режимах работы (штатном, немного разогнанном без увеличения напряжения и максимально-стабильном) на одну диаграмму. Как видим, результаты практически прямо пропорциональны частоте, что неудивительно. Однако не дает ответа на вопрос влияния модулей памяти на производительность в реальных задачах. В данном случае очень важный — ведь 2800 и, тем более, 2400 МГц, повторимся, считается очень низкой частотой для процессоров AMD Ryzen.

    Поэтому мы провели тесты по нашей стандартной методике измерения производительности на основе реальных приложений. В двух режимах (стандартном и на частоте 2800 МГц), взяв также для сравнения результаты референсной системы, где использовалась память с частотой 2933 МГц. Несложно заметить, что они выше, однако ни в одной группе разница не превышает 2,5%, а в общем итоге не достигает и 2%. При этом небольшой разгон модулей, доступный практически на любой плате позволяет сократить разницу до 0,5%, что пренебрежимо мало.

    Разумеется, хорошо разгоняемые модули в паре с более производительным процессором позволят «выжать» еще немного больше, так что точку в этом вопросе мы пока не ставим. Скорее, точку с запятой — фактически, если не гоняться за рекордами, какого-то катастрофического снижения производительности при использовании моделей памяти среднего класса не происходит, что отрадно для экономных покупателей. Как и ранее, первичен процессор — небольшой разгон того же Ryzen 5 1600 позволяет с легкостью получить 10% производительности даже при использовании DDR4-2666, а это уже немного другой порядок величин. После этого (если желание останется) можно заняться и памятью — хуже от этого точно не станет. Принципиально лучше — тоже.

    А GoodRAM IRDM и подобные им модули памяти неплохо подходят для компьютера среднего уровня, независимо от платформы — Intel или AMD. В первом случае разгон памяти выше штатной частоты доступен лишь на платах на топовых чипсетах, что адресует нас к несколько иному ценовому сегменту. Во втором же против GoodRAM IRDM выступает небольшая способность к разгону, который в случае AMD Ryzen несложен и полезен, а за — то, что не так уж он и полезен. Эти модули не ориентированы на различные эксперименты и борьбу за рекорды — просто недорогая память массового назначения. И если на счету каждый процент быстродействия — стоит выбирать что-то другое.

    В заключение предлагаем посмотреть наш видеообзор модулей памяти DDR4 GoodRAM IRDM:

    Как разогнать оперативную память ddr4

    Результатом развития компьютерных технологий стало появление в 2014 году более совершенного типа ОЗУ — DDR4. По сравнению с предыдущими моделями (DDR3 и DDR2) его отличительная особенность – повышенные частотные характеристики и пониженное напряжение питания. Но всегда найдутся пользователи, заинтересованные в повышении производительности своего компьютера или ноутбука. Один из способов решения задачи – настройка режима работы ОЗУ с увеличением ее частоты. Рассмотрим основные способы, как разогнать оперативную память ddr4, чтобы девайс работал быстрее и выполнял более сложные задачи.

    Что нужно учитывать при разгоне оперативки DDR4

    Увеличение скорости RAM подразумевает работу устройства за пределами, предусмотренного условиями эксплуатации. По этой причине нужно быть уверенным, что манипуляции с изменением настроек режима оперативки не навредят вашему ПК.

    Разгон включает действия по изменению 3-х параметров: тактовой частоты, таймингов и напряжения.

    Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее будет память. Но при высокой частоте память потребует более высокого напряжения. Здесь следует помнить, что для ОЗУ DDR4 оно установлено в 1,2 В. Чтобы оперативка работала стабильно и не вышла из строя, допустимый предел – 1,4В. Превышение этого порога грозит серьезными неприятностями.

    Результат оверклокинга зависит еще от одной характеристики – ранга ОЗУ (одноранговый или двухранговый). В целях разгона наиболее выгоднее иметь дело с одноранговой платой.

    Как разогнать оперативную память ddr4

    Для ускорения оперативки существует всего 2 способа:

    • замена планок на более быстрые;
    • разогнать оперативку вручную.

    Замена планок ОЗУ

    Самый простой, но требующий денежных затрат вариант, — установка нового модуля оперативки. Замена на ноутбуке проводится в таком порядке:

    • отключить девайс от питания, выждать несколько минут до полного отключения всех индикаторов;
    • снять батарею;
    • поднять крышку с отсеком для слотов;
    • установить новую планку RAM с лучшими характеристиками.

    Самостоятельный разгон оперативки

    Увеличить тактовую частоту ОЗУ абсолютно бесплатно – главная цель любителей оверклокинга. Успех зависит от постепенного изменения параметров, в определенной последовательности, с обязательной проверкой. Специалисты не советуют новичках при разгоне ОЗУ затрагивать субтайминги и работать с напряжением на контроллере памяти.

    Перечислим, на каких материнских платах можно разгонять оперативку:

    • на INTEL – платы на X или Z – чипсетах;
    • в AMD — все платы под современные процессоры RYZEN.

    Чтобы разогнать оперативную память DDR4, нужно все действия проводить в BIOS. Алгоритм зависит от того, установлен производителем XMP-профиль или нет. Он есть у всех модулей DDR4 с частотами выше 2133 МГц. Это означает, что производитель заранее заложил в сам модуль набор настроек для активации в BIOS (UEFI).

    При наличии XMP-технологии все достаточно просто – нужно выставить в настройках требуемую частоту, а все остальные параметры подстроятся автоматически.

    Что делать, если XMP нет или привлекает частота 3200 МГц и выше? Тогда придется искать и подбирать все параметры вручную, скрупулезно, действуя всего на полшага вперед. Весь разгон сводится к тому, что нужно найти баланс между частотой, таймингами и вольтажом. Оптимально, когда частота максимальная, а остальные 2 параметра – минимально возможные.

    • Войти в BIOS (после включения ПК несколько раз нажать Del до запуска БИОС).
    • Перейти в раздел M.I.T.
    • Для упрощения задачи сначала нужно поднять напряжение и не менять его на протяжении всего разгона (таким образом избавляемся от одного параметра и работаем только с двумя). Напряжение выставляется в разделе Dram Voltage. Безопасный максимум для DDR4 — 1,35 В. Более высокий показатель (1,4-1,45 В) уже требует дополнительного обдува модуля от перегрева.
    • Второй шаг – увеличить частоту с шагом 100 МГц. Если имеется XMP-профиль, то стартуем с его частоты и таймингов. Если такой опции нет, то подбор начинается с самого минимального значения (2133 МГц).
    • Во время работы с частотой тайминги не трогать. Желательно вручную зафиксировать их на заводских значениях.
    • После первого повышения частоты нажать на F10, чтобы закрепить результат.
    • Если компьютер запускается, то проводится стресс-тест для проверки ОЗУ на стабильность работы. Для этого лучше использовать программу AIDA. Минимальное время тестирования – 10-15 мин.

    При положительном результате цикл повторяется. Нужно войти в BIOS и снова увеличить показатель частоты на 100 МГц. Затем повторно провести запуск и тест на стабильность.

    Если в определенный момент компьютер не запускается или слетают настройки, то потребуется увеличить тайминги. При появлении черного экрана нужно сбросить настройки БИОСа и вернуться к заводским настройкам.

    В увеличении таймингов нет особых правил. Желательно, чтобы для DDR4 первые 3 параметра не превышали 22-23. После повышения таймингов запускаем компьютер и снова тестируем. Если все работает нормально, можно повысить частоту на 100 МГц. И дальше цикл повторяется.

    Если нет запуска или не пройден стресс-тест, придется увеличить тайминги на 1. Количество циклов в подборе показателей зависит от стабильности функционирования оперативки и упорства (или любви к риску) у пользователя.

    Важно помнить, что срок эксплуатации разогнанной памяти значительно меньше.

    Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

    Counter-Strike: Global Offensive

    3,340 уникальных посетителей
    35 добавили в избранное

    Как по мне гнать память обязан любой уважающий себя юзер с Ryzen’ом, так как архитектурно имеет недостатки в виде Inifnity Fabric, а точнее конских задержек между ядрами и шиной. Чтобы сбавить этот недостаток нужно разогнать память. Как это работает: Частота IF = Частота ОЗУ : 2

    Перед началом оверклокинга советую обновить BIOS до актуальной версии

    Thaiphoon Burner [www.softnology.biz] — нужен для того, чтобы определить чипы памяти и её ранговость, если не видно из под радиатора.

    Single rank — чипы распаяны с одной стороны текстолита, а Dual rank — с обеих. Как правило сингл гонится чуть лучше, но дуал чуть производительнее на одной частоте.

    Информация из этой программы пригодится нам для следующей.

    Ryzen DRAM Calculator [www.techpowerup.com] — эта программа была написана для криворучек типа меня, чтобы облегчить настройку всех типов таймингов, т.к они играют далеко не последнюю роль и дают основной буст помимо повышенной частоты.

    ВНИМАНИЕ! ОНА НЕ ДАЁТ 100% ГАРАНТИЙ, А ВСЕГО ЛИШЬ ПРЕДЛАГАЕТ СРЕДНИЕ ПРЕСЕТЫ, КОТОРЫЕ ЗАВОДЯТСЯ НА ВАШИХ ЧИПАХ ПАМЯТИ. ВЫ МОЖЕТЕ ПОВЫСИТЬ/ПОНИЗИТЬ ТАЙМИНГИ ДО ТЕХ ПОР ПОКА НЕ НАЙДЁТЕ ЗОЛОТУЮ СЕРЕДИНУ МЕЖДУ ЧАСТОТАМИ И ТАЙМИНГАМИ, ТАК КАК ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА С ВЫСОКИМИ ТАЙМИНГАМИ БУДЕТ ПО ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ ХУЖЕ, ЧЕМ БОЛЕЕ НИЗКАЯ С МЕНЬШИМИ ТАЙМИНГАМИ

    Для начала настраиваем её:

    Processor: Ryzen 1 gen — 1000 серия | Ryzen + gen — 2000 серия | Ryzen 2 gen — 3000 серия

    Memory Type: Тут то нам и пригодится информация из Thaiphoon Burner. В моём случае это Hynix C-Die aka CJR

    Memory Rank: Используем информацию из Thaiphoon Burner. В моём случае это Single Rank (1)

    Frequency (MT/s): Частота оперативной памяти. Рекомендую начинать с 3000 и дальше повышать. Если вас угораздило купить ОЗУ от HyperX или Corsair, то скорее всего дальше 3200 c конскими таймингами вы не уйдете, так как эти конторы собирают свои модули из г0вна и палок и работают на уровне no name памяти с алиэкспресс. Так же у контроллера памяти (далее КП) первого Zen есть ограничение в 3533 мгц и дальше этой частоты вы не уйдёте. Да и в целом не нужно, так как они работают крайне не стабильно и ваш идеал это 3200-3466мгц. У рефрешей Zen+ предел чуть выше 3866.

    BCLK: Шина, которую можно крутить далеко не на всех материнках. Первое, что приходит на ум ROG серия Asus и Таичи от Asrock. Ставьте 100, но если есть возможность, то крутите её в BIOS’е и подбирайте похожую частоту памяти в программе. В моём случае шина работает на 118 мгц и частота памяти с множителем 29.33 составляет 3460мгц, что крайне близко к 3466

    DIMM Modules: Количество плашек оперативной памяти. Для максимального разгона рекомендую юзать не более двух, т.к. с 4 плашками КП будет перегружен и не сможет вывезти все плашки на условных 3466мгц

    Topology: Чипсет, тут думаю ни у кого не возникнет проблем, надеюсь.

    Далее нажмите на фиолетовую кнопку R-XMP и после на зелёную SAFE. Вы выбрали безопасный пресет для вашей памяти. Фотографируйте монитор и заходите в BIOS выставлять значения из программы. Тут тоже не должно возникнуть трудностей. Будьте крайне внимательны и смотрите, что и куда вы вписываете После того как вы всё выставили и сохранили настройки переходим к следующей программе.

    Testmem5 [testmem.tz.ru] — это настраиваемая программа, которая тестирует ОЗУ.

    Скачав архив распакуйте куда нибудь папку TM5 из него. Запустите программу и сразу же закройте. В папке bin появится файл MT.cfg. Откройте его любым текстовым редактором и напишите в строке Time = 300% вместо 100% Сохраните и запустите программу от имени администратора. Тестирование займёт около 15 минут реального времени. Во время теста не используйте компьютер.

    Если словили ошибку, то скорее всего ваша память не держит определённую частоту или нужно повысить тайминги. Если всё завершилось успешно, то вы можете попробовать профиль FAST в DRAM Calculator или понижать тайминги на уже существующем пресете.

    Рекомендую понижать по одному таймингу на 1-4 пункта пока не высыпется ошибка, т.к если будете понижать сразу все, то не поймёте в чём проблема. Да, это займёт очень много времени, но и нужно только гиками типа меня. Вам, скорее всего хватит и обычного SAFE пресета.

    И оставьте всё на auto во вкладке Misc items

    На этом с памятью вроде как всё.

    AMD выжала почти все соки из процессоров ещё на заводе, но если есть желание, то можно немного повысить частоту ядер, что даст приятный буст. Адекватный максимум для процессоров Zen 1 это 3.8 ггц, так как дальше придётся очень сильно задирать вольтаж и КПД от этого не такой уж и большой. AMD рекомендует не повышать вольтаж свыше 1.4V

    Для владельцев матерей от ASUS:

    Зайдите в BIOS
    Активируйте Advanced Mode нажатием клавиши F7
    Перейдите во вкладку Ai Tweaker

    Ai Overclock Tuner — Manual
    BCLK Freq. — 100 (если поднимаете шину, то скидывайте множитель)
    CPU Core Ratio — 37.00 или 38.00
    Memory Freq. — 3000+
    Core Performance Boost — Disabled
    EPU Power Saving Mode — Disabled

    Во вкладке DRAM Timing Control настраиваются тайминги
    Во вкладке DIGI + VRM выставите везде regular

    CPU Core Voltage — Manual mode
    CPU Core Voltage Override — (каждый процессор уникален и вольтаж может немного разнится, тут мои значения) 1.25V для 3.7 и 1.31V для 3.8

    CPU SOC Voltage — Manual
    VDDSOC Voltage Override — выставляйте значения из DRAM Calculator
    DRAM Voltage — выставляйте значения из DRAM Calculator

    Сохраняйте настройки и заходите в Windows. Теперь нужно проверить стабильность процессора. Для этого скачайте программу AIDA64 Extreme крякнутая версия находится в интернете крайне легко, ссылок оставлять не буду

    Для начала запускаем тест стабильности системы (находится во вкладке Сервис)

    Выставляйте всё как у меня на скриншоте и запустите стресстест. Он имитирует задачи намного выше реальной нагрузки и если выдержал её, то процессор будет максимально стабильным везде. Если за 15-20 минут у вас ничего не дропнулось, то вы прошли его, можете останавливать. Так же следите за температурой, хотя всё должно быть в норме, так как я лично гонял его на боксвом кулере Ryzen’а

    Далее проведите тест кэша и памяти. Он показывает ПСП (Пропускная способность памяти) и скорость кэшей, которая поможет вычислить пере или недо вольтаж. Если просела скорость L3 кэша в копировании (значения меньше, чем в чтении и записи L3), то это оно и есть. Повышайте или понижайте CPU Core Voltage на 1 один шаг пока всё не нормализуется.

    На этом можно завершить оверклокинг платформы. Спасибо, что прочитали это руководство и делитесь своими результатами 🙂

    Как разогнать оперативную память?

    Еще несколько лет назад высокочастотная оперативная память давала слабый прирост производительности в рабочих приложениях и, тем более, компьютерных играх. Но с выходом процессоров AMD Ryzen, а также шести и восьмиядерных Intel Core, ситуация кардинально изменилась. Теперь высокая пропускная способность и низкая задержка памяти являются одними из важнейших характеристик ПК. Добиться этого можно двумя противоположными способами: попытаться вручную разогнать дешевую низкочастотную оперативку (это всегда лотерея) или же сразу приобрести отборную высокочастотную и разогнать ее еще сильнее.

    Насколько важна высокая частота памяти?

    Для дешевых процессоров Celeron и Pentium относительно дорогая высокочастотная память не только неуместна по цене, но и бесполезна по производительности. Встроенный в процы Intel контроллер памяти сравнительно непривередлив и обеспечивает низкую латентность (задержки). Как результат, для двухъядерных Celeron и Pentium предостаточно даже низкочастотной оперативки (ОЗУ) — если не 2133, то 2400 МГц уж точно.

    Другое дело — старшие процессоры Intel (в меньшей степени Core i3, i5, в большей — i7, i9) и все AMD Ryzen. Чем больше ядер, тем большая пропускная способность памяти (ПСП) требуется. Контроллер памяти процов AMD менее совершенен, чем у Intel, поэтому сильнее зависим от высокой частоты. Самыми же чувствительными к частоте ОЗУ являются APU AMD: модели Ryzen 3 2200G, Ryzen 5 2400G и Athlon 200GE. В их случае шина памяти делится не только между процессорными ядрами, но и мощной интегрированной графикой Vega.

    Установка парного количества модулей ОЗУ (два или четыре) активирует двухканальный режим работы, что дает больший прирост ПСП, чем высокая частота в одноканале. Поэтому если бюджет ограничен, то разумнее приобрести две низкочастотные планки памяти половинного объема, нежели одну высокочастотную. К тому же, готовые наборы памяти из двух или четырех модулей сделаны из одинаковых чипов памяти (производитель, техпроцесс, коэффициент утечек тока), благодаря чему как правило лучше разгоняются, чем планки, купленные по отдельности в разное время.

    CifroSvit.com 2083 грн. В магазин
    Denika.ua 2988 грн. В магазин
    FOXTROT.UA 2072 грн. В магазин
    Fishki.ua 2349 грн. В магазин
    Rozetka.ua 1959 грн. В магазин

    Cравнить цены 9

    IRDM X — старшая серия «геймерской» оперативной памяти польского бренда Goodram (компания Wilk Elektronik), включающая как отдельные модули объемом 4, 8 и 16 ГБ, так и наборы из двух планок с частотой от 2666 до 3200 МГц. Планки с базовыми частотами 2133 и 2400 МГц вынесены в младшую серию IRDM без суффикса «Х», но с тем же дизайном.

    «Геймерской» нынче называют память, которую раньше называли «оверклокерской» — с высоким частотным потенциалом (и как результат, высокой производительностью, в том числе в играх) и металлическими радиаторами, выполняющими как охладительную, сколько декоративную функцию. Просто эпитет «геймерская» сейчас более узнаваемый, нежели «оверклокерская».

    Радиаторы IRDM X предусмотрительно сделаны толстостенными (это вам не алюминиевая фольга, как у самых дешевых планок ОЗУ), но низкопрофильными, дабы не мешать установке массивных башенных процессорных кулеров. На выбор доступно пять вариантов окраса: черный, красный, синий, белый и «рябой» (сочетание белого, серого и красного а-ля зимний камуфляж). Именно последний вариант выглядит наиболее оригинальным. Светодиодной подсветки, о чудо, нет и это прямо-таки находка на фоне повсеместного засилья RGB.

    Пожурить IRDM X можно разве что за одинаковые стандартные тайминги для всех частот. Если задержки 16-18-18-18-36 для частоты 3200 МГц являются отличным показателем, то для 2666 МГц явно многовато. Впрочем, этот мелкий недочет легко решить, снизив тайминги вручную. В остальном же, Goodram IRDM X — добротная, гарантированно высокочастотная оперативка с элегантными дизайном, за которую просят не намного больше денег, чем за простейшую безрадиаторную память.

    Конфигурация тестового стенда

    Инструкция по разгону

    В отличие от разгона процессора, где нужно всего лишь найти баланс между частотой и напряжением питания, процесс оверклокинга памяти немного сложнее, ведь предстоит найти точку эквилибриума уже между тремя параметрами: частотой, напряжением и таймингами. Этих самых таймингов, к слову, целых пять штук, и это не считая еще больше десятка субтаймингов, которые, впрочем, обычно не трогают, оставляя стандартными.

    Рассказывать и показывать процесс разгона будем на примере набора из двух 8-гиговых модулей памяти Goodram IRDM X с заявленной частотой 3000 МГц, процессора AMD Ryzen 2200G и материнской платы Biostar B450MH. Проц и материнка заранее проверены на поддержку разгона ОЗУ как минимум до 3466 МГц.

    И так, чтобы приступить к разгону оперативки нужно перезагрузить ПК и нажать клавишу Delete, после чего вы попадете в меню BIOS. Оверклокерская функциональность доступна на материнках на чипсетах AMD B350, B450 и выше, а также Intel Z270, Z370 и Z390. На младших чипсетах разгонять ни память, ни процессор, ни интегрированную графику, к сожалению, нельзя.

    Способов разгона ОЗУ существует три: автоматический разгон путем активации вшитого в память профиля настроек XMP; ручное повышение частоты, пусть и с вынужденным повышением задержек; и ручное снижение таймингов при неизменной частоте. Самым простым, само собой, является первый способ — авторазгон. Именно поэтому имеет смысл купить заведомо высокочастотную память, как Goodram IRDM X 3000 МГц, и сэкономить время на ручной подбор параметров. Впрочем, и здесь могут быть нюансы.

    Дело в том, что некоторые материнские платы, как например наша Biostar B450MH, не умеет выставлять промежуточные частоты памяти. Так, она поддерживает 2400, 2666, 2933 и 3200 МГц, но не поддерживает 2800 и 3000 (а у нашей памяти как раз такая). По этой причине воспользоваться XMP-профилем Goodram IRDM X не удалось. Но как говорится, все что случается — к лучшему: путем ручной настройки частоту памяти удалось повысить до 3200 МГц.

    Для этого напряжение питания было увеличено с базовых 1.2 до 1.35 В (напряжение до 1.4 В для разгона памяти DDR4 считается безопасным), а тайминги установлены на значение 16-18-18-18-36. Проще говоря, мы сэкономили долларов десять, превратив память 3000 в 3200 МГц. Теоретически, более высокочастотная с завода память могла бы разогнаться еще сильнее, скажем, до 3466 МГц. Но учитывая, что Goodram IRDM X, по крайней мере тот ее экземпляр, что попал к нам на тестирование, основана на чипах Nanya A-die, разгон свыше 3200 МГц видится маловероятным. Частоты повыше обычно берут только чипы более современных поколений — Samsung B-die, Micron H-die или Hynix M-die.

    Измерить прирост пропускной способности памяти до и после разгона можно с помощью приложения AIDA64 (доступна бесплатная пробная версия), выбрав пункт меню «Сервис – Тест кэша и памяти». Так, разгон с базовых 2666 МГц до 3200 МГц повысил скорость чтения, записи и копирования ОЗУ с примерно 35 до 45 ГБ/с, то есть на 28 процентов. Латентность же снизилась с 84 до 74 наносекунд, то есть на 13 процентов. В той же самой AIDA64 («Сервис – Тест стабильности системы») можно и нужно хорошенько прогреть ПК после разгона, чтобы убедится в его беспроблемности. Если тест выдает ошибку, либо компьютер зависает или перезагружается, попробуйте слегка (на 0.05 В) повысить напряжение или поднять тайминги.

    А вот разгон путем снижения таймингов (с 16-18-18-18-36 до 14-14-14-14-34) при неизменной частоте 2666 МГц особого эффекта не дал: скорость памяти выросла лишь на 2 процента, а латентность снизилась на 6 процентов. Но данный метод все равно имеет место быть, ведь далеко не все материнские платы хорошо разгоняют память, некоторые особенно неудачные модели не берут частоту выше 2800 МГц.

    Выводы

    Как вы смогли убедиться, разгон оперативной памяти — не самый простой процесс (если конечно память не с изначально высокой XMP-частотой), но прирост производительности от него явно стоит потраченного времени. Бояться не стоит, ничего точно не сломается, ведь современные компьютерные компоненты хорошо защищены от «кривизны» рук пользователя и в случае чрезмерного вмешательства уходят в кратковременную защиту, после чего сбрасывают настройки на стандартные. Если у вас процессор AMD Ryzen или Intel Core и материнка с подходящим для оверклокинга чипсетом. то обязательно попробуйте. Ну а владельцам APU AMD с мощной встроенной графикой разгон памяти, как говорится, сам доктор прописал.

    Тестирование 28 комплектов RAM DDR4 и выбор памяти для AMD Ryzen

    Выбор оперативной памяти не менее важен, чем подбор процессора, материнской платы и прочих компонентов компьютера, особенно если речь о производительной системе, в том числе игровой. Что уж говорить, если подразумевается еще и разгон компонентов. Чтобы исключить появление «узкого места» в собираемой системе, воспользуемся наработками ресурса uk.hardware.info. Он провел интересное тестирование 28 комплектов ОЗУ с целью несколько прояснить вопрос, насколько важен тщательный выбор памяти для AMD Ryzen, а заодно и для процессоров Coffee Lake, на что обращать внимание, какие подводные камни могут тут поджидать. Вольный перевод материала предлагаю вашему вниманию.

    Цель тестирования

    Цель благая: среди предлагаемых комплектов оперативной памяти, коих для тестирования было взято 28, выбрать те, которые позволят получить максимальную производительность. Заодно проверить, насколько хорошо «гонится» память, выяснить пригодность ее использования на той или иной платформе.

    Это вполне актуальная проблема, т. к. с выходом в прошлом году процессоров AMD Ryzen выяснилось, что эти CPU при всех своих достоинствах довольно привередливы к устанавливаемым модулям ОЗУ. Встроенный контроллер памяти оказался менее мощным, чем аналог, установленный в процессоры конкурента. Не было возможности работать с памятью с частотой более 3200 МГц, да и проблемы совместимости давали о себе знать.

    Вышедшее обновление AGESA (AMD Generic Encapsulated System Architecture), представляющее собой микрокод, работающий при старте системы и служащий для инициализации процессора на этом этапе запуска.

    Сама по себе эта ситуация не является причиной, чтобы сбрасывать со счетов новые процессоры Ryzen, тем более что с выходом новых поколений и ревизий ядра Zen ситуация исправляется. Просто надо помнить, что для этих процессоров выбор памяти – немного более ответственный момент, и брать первый попавшийся модуль, или «вон тот красненький», нежелательно в силу того, что существует определенная вероятность, что память придется менять на что-то другое.

    Собственно, вот на этом закончим вводную часть и перейдем к теме сегодняшнего разговора – выбору модулей памяти для процессоров AMD Ryzen, а также и для их конкурентов, CPU Intel Coffee Lake.

    Методика тестирования и тестовый стенд

    Кто является главным «потребителем» скоростной памяти? Те, кто использует мощные ПК для игр или работы для «тяжелыми» приложениями, ну и, конечно же, оверклокеры. Потому и тестовая методика испытаний также ориентирована на изучение в первую очередь разгонных возможностей памяти.

    Используется пакет утилит AIDA64, бенчмарк TechArp, измеряющий скорость кодирования видео, а также две игры: DiRT Rally и GTA V в режиме отображения FullHD с настройками графики от средних до ультра. Выбор именно этих игр обусловлен тем, что они чувствительны к скорости установленной в системе памяти.

    Проверка проводится в два этапа:

    • Первый этап – комплект из пары модулей используется в двухканальном режиме с активацией настроек из XMP профиля. Если не активировать XMP, по умолчанию память будет работать на частоте 2133 МГц.
    • Второй этап – поиск максимального разгона, на который способны участвующие в тесте модули ОЗУ. Ищем баланс между высокими значениями частоты и таймингами. При этом тяжелые тесты по кодированию видео и запуска игр не проводились. Собственно, в данном случае это разгон ради разгона, чисто спортивный интерес, показывающий, чего можно добиться и заработают ли модули вообще. Используется только AIDA64 и SuperPi 8M.

    В качестве тестового стенда, вернее, двух стендов (мы же проводим проверку на обеих платформах) использовались:

    Процессор AMD Ryzen 7 1800X Intel Core i7 8700K
    Материнская плата ASUS Crosshair VI Hero ASUS ROG Maximus X Apex
    Видеокарта NVidia GeForce GTX 1080 Ti
    Накопитель SSD Samsung 960 Pro 512ГБ
    Блок питания Seasonic Prime Titanium 650W
    ОС Windows 10

    Участники тестирования

    Теперь пора кратко познакомиться с теми модулями памяти, которые будут участвовать в проверке.

    Corsair

    Этот производитель предлагает большое количество модулей памяти и пользуется заслуженной популярностью. Своего производства чипов у Corsair нет и используется продукция SK Hynix. Правда, в более дорогих комплектах используется память Samsung с чипами B-die, которые пользуются особым уважением у любителей разгона.

    Участвовали две линейки модулей памяти, Vengeance и Dominator. Во всех случаях имеются радиаторы на чипах. Vengeance разделяется на модели LPX, LED, RGB, в последних двух случаях установлена подсветка: в LED однотонная, а в RGB многоцветная.

    Объем Кол-во модулей CAS (CL) Цена, руб.
    Vengeance LPX Black DDR4-2400 16 ГБ 2 15 12500
    Vengeance LPX Black DDR4-3000 16 ГБ 2 15 13500
    Dominator Platinum DDR4-3000 16 ГБ 2 15
    Vengeance Black/Red LED DDR4-3200 16 ГБ 2 16 15500
    Vengeance LED DDR4-3200 32 ГБ 4 16 28600
    Vengeance LPX RGB DDR4-3200 16 ГБ 2 16 15500
    Vengeance LPX RGB DDR4-3200 32 ГБ 4 16 28900

    Цены здесь и далее – ориентировочные, по состоянию на середину мая 2018-го года.

    Crucial

    Являясь дочерней компанией такого гиганта, как Micron, в модулях использует память собственного производства. Правда, не во всех.

    Так, в самом дешёвом комплекте 16ГБ 2133МГц, а также в Ballistix Sport на 2400 МГц действительно стоит память своего производства.

    В модулях, входящих в серии Ballistix Elite и Tactical, используется память Samsung на чипах E-die. Не самая лучшая память, есть варианты, более пригодные для разгона. Внешне модули отличаются разве что отсутствием (у самых дешевых) и наличием радиаторов.

    Объем CAS (CL) Цена, руб.
    DDR4-2133 16 ГБ 15 12800
    Ballistix Sport LT DDR4-2400 16 ГБ 16 13200
    Ballistix Sport DDR4-2400 16 ГБ 16 13400
    Ballistix Sport LT DDR4-2666 DR 16 ГБ 16 13400
    Ballistix Sport LT DDR4-2666 32 ГБ 16 25500
    Ballistix Tactical DDR4-3000 16 ГБ 16 14500
    Ballistix Elite DDR4-3000 8 ГБ 16 8800
    Ballistix Elite DDR4-3200 8 ГБ 16 7700

    G.Skill

    Производитель хорошо известен в первую очередь своими модулями памяти для оверклокинга. Часто используются чипы памяти Samsung B-die, что само по себе говорит о возможности установки высоких частот. Кстати, эти микросхемы ОЗУ очень хорошо сочетаются с процессорами AMD Ryzen, в то время как с другими чипами часто возникают проблемы при работе на высоких частотах.

    Все модели имеют радиатор. Есть варианты с подсветкой, причем с многоцветной. Учитывая возможности и назначение этих модулей, цена на них довольно высока, хотя перспектива получения высоких частот работы компенсирует этот недостаток.

    Серия Flare X, в отличие от Trident Z или Ripjaws, специально оптимизирована на работу именно с процессорами AMD Ryzen. Впрочем, это отнюдь не означает, что с процессорами Intel эта память «не дружит».

    Объем Кол-во модулей CAS (CL) Цена, руб.
    Flare X DDR4-3200 16 ГБ 2 14 25300
    Flare X DDR4-3200 32 ГБ 4 14
    Trident Z RGB DDR4-3600 16 ГБ 2 16 30000
    Trident Z RGB DDR4-3600 32 ГБ 4 16 56000
    Trident Z DDR4-3866 16 ГБ 2 18 31100
    Trident Z Silver/Red DDR4-4000 16 ГБ 2 19 31100

    Модули этого производителя одни из первых стали оснащаться такой модной сейчас подсветкой.

    В тесте участвовал один комплект из двух модулей общим объёмом 16 ГБ DDR4-3200 с CL16. В магазинах их можно найти по цене от 14000 руб.

    Kingston

    Без этого бренда список участников был бы неполным.

    Тестировались несколько комплектов, от массового HyperX Fury до топовой линейки Predator. Подсветка не используется ни в одном из комплектов.

    Объем CAS (CL) Цена, руб.
    HyperX Fury Black DDR4-2666 16 ГБ 16 12600
    HyperX Predator DDR4-3000 16 ГБ 15 14000
    HyperX Predator DDR4-3200 16 ГБ 16 14800
    HyperX Predator DDR4-3333 16 ГБ 16 15700
    HyperX Predator DDR4-3600 16 ГБ 17 16500

    Тестирование

    Ну и пора переходить к результатам, полученным при тестировании.

    AIDA64

    Синтетический тест очень хорошо раскрывает возможности модулей.

    В тестах чтения/записи модули, в целом, выстроились в зависимости от частоты работы. Внизу ожидаемо находится бюджетный Crucial, ну а в лидерах – группа высокочастотных G.Skill.

    Латентность памяти напрямую влияет на быстродействие, и на приведенной диаграмме можно заметить зависимость между частотой и таймингами памяти.

    TechArp x264

    Кодирование видео принесло результаты, которые мало отличаются у всех модулей и диаграмму я потому посчитал ненужной. В тесте «Pass 1» разница между самым быстрым G.Skill Trident Z RGB DDR4-3600 32 ГБ CL16 и самым медленным Crusial Ballistix Sport LT DDR4-2400 16 ГБ CL16 составила менее 3%. В более тяжелом «Pass 2» разница вообще свелась к 1%.

    Тестирование в играх

    Вот здесь разница проявилась заметнее.

    В игре DiRT Rally самый быстрый комплект памяти G.Skill Trident Z DDR4-3600 на 17% быстрее самого медленного Crucial Ballistix Sport LT DDR4-2400.

    В GTA V разница чуть больше, около 18%.

    Можно заметить две вещи. Во-первых, разница между памятью, начиная с 3000 МГц и выше не столь велика, а вот между DDR4-2133 и DDR4-3000 количество FPS в играх отличается гораздо заметнее.

    Во-вторых, тайминги памяти играют также не последнюю роль. Как видно из диаграмм, даже самая медленная Crucial DDR4-2133 оказалась не на последнем месте благодаря значению CL равному 15. Crucial Ballistix Sport LT DDR4-2400 с CL16 оказался пусть совсем немного, но медленнее.

    Ну а царствуют во всех игровых упражнениях модули памяти производства G.Skill с их высокими частотами и небольшими задержками. Причем Trident Z DDR4-4000 отнюдь не самый быстрый, хотя и имеет самую высокую частоту. Зато CL у него 19. Более медленный Trident Z RGB DDR4-3600 оказался лидером по соотношению частота/задержки.

    Совместимость с AMD Ryzen

    Самым важным в этом тестировании было проверить возможность использования выбранных комплектов памяти с процессором AMD Ryzen на штатных частотах. Результаты только подтвердили тезис о необходимости внимательно и ответственно подходить к выбору ОЗУ при сборке системы на CPU этого производителя.

    Из 28 комплектов те, частота которых была равна или превышала значение 3200 МГц, оказались несовместимыми с процессором AMD. Да и среди более медленных модулей также нашлись такие, которые отказались работать на штатных частотах.

    Список несовместимых модулей, которые не работают в режиме, прописанном в XMP:

    • Corsair Dominator Platinum 16GB DDR4-3000 CL15
    • Crucial Ballistix Elite 8GB DDR4-3000 CL15
    • Crucial Ballistix Elite 8GB DDR4-3200 CL16
    • Skill Trident Z 16GB DDR4-3200 CL16
    • Skill Trident Z 16GB DDR4-3866 CL18
    • Skill Trident Z RGB 16GB DDR4-3600 CL16
    • Skill Trident Z RGB 32GB DDR4-3600 CL16
    • Skill Trident Z Silver/Red 16GB DDR4-4000 CL19
    • Kingston HyperX Predator 16GB DDR4-3333 CL16
    • Kingston HyperX Predator 16GB DDR4-3600 CL17

    Разгон

    Ну и на сладкое – оверклокинг. Модули разгонялись «по максимуму», что, к сожалению, чаще всего не позволяло провести полноценное тестирование. Но как факт того, что память запускалась на тех или иных частотах, показывает потенциал и пригодность к экспериментам по увеличению рабочей частоты ОЗУ.

    Память G.Skill подтвердила реноме одной из самых оверклокерской. Как минимум 3 комплекта заработали на частоте 4400 МГц с таймингами 19-21-21-42 при увеличении питания до 1.7-1.8 В. Меньше всего понадобилось поднимать напряжение питания для Trident Z DDR4-4000.

    Комплекты Corsair Vengeance RGB также показали отличный разгонный потенциал, достигнув частоты 4300 МГц с таймингами 19-21-21-40 и напряжением 1.75 В.

    Удивил и самый простой комплект Crucial DDR4-2133, который достиг частоты в 2933 МГц при напряжении питания 1.45 В. Только не следует забывать про отсутствие радиаторов на чипах памяти.

    Заключение. Выбор памяти для AMD Ryzen и не только для этих процессоров

    Если рассматривать с точки зрения разумности соотношения цена/объем, то 16 ГБ ОЗУ видится оптимальным значением. Особенно для игрового ПК, да и просто для комфортной работы, начиная с простого офисного применения.

    Самая дешевая память – это Crucial, причем самый медленный комплект DDR4-2133 оказался не так плох, как могло бы подуматься первоначально. Правда, имеет смысл потратить чуть больше на комплект, который стоит на ступеньку выше в иерархии моделей, Ballistix DDR4-2400, получив не только немного большую частоту, но и радиаторы на чипах.

    Если хочется чего-то большего и можется потратить немного большую сумму, то разумным выбором окажутся комплекты Corsair Vengeance LPX Black 16 ГБ DDR4-3000 CL15 и Crucial Ballistix Tactical 16 ГБ DDR4-3000 CL16, которые стоят не так дорого, да еще и отлично работают с AMD Ryzen.

    Если разгон – ваше все, то готовьте денежки на G.Skill. Trident Z 16G ГБ DDR4-4000 CL19 дорог, но без проблем гонится до 4400 МГц при сравнительно небольшом повышении напряжения. Спасибо отличным чипам памяти производства Samsung. Впрочем, не менее привлекательны и другие модели из линеек Trident Z, а также Flare X.

    Стоит сказать и пару слов для тех, кого рекорды разгона не столь интересуют, но вот эстетика внутреннего мира системного блока заботит более чем. Речь про модули с подсветкой. Переплата за встроенные лампочки получается весьма умеренной.

    Можно было бы посоветовать комплект Geil, но такая мелочь, как наличие кабелей – не самое эстетическое решение. Оптимальным и наиболее оправданным решением в данном случае следует признать модули памяти Corsair LED/RGB с возможностью интегрирования подсветки модулей либо в фирменную корсаровскую систему, либо в утилиты многих производителей материнских плат.

    Все хорошо с подсветкой у G.Skill, но тут две проблемы: цена и совместимость с AMD Ryzen. Вернее, несовместимость многих модулей с этими CPU. Да и управлять подсветкой этими модулями можно только при использовании утилит ASUS, поставляемыми с материнскими платами этого производителя.

    Как обычно, выбирать вам, но в данном случае ряд моделей при сборке систем на AMD Ryzen можно исключить (к счастью или сожалению). Остальные распределяются по ценам, возможностям, и что важнее, на что готовы отдать свои кровные, а за что платить не готовы.

    Хороших покупок и высокого быстродействия.

    Ссылка на основную публикацию